Datasheet SPN01N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: SPN01N60C3
![]() 15 предложений от 12 поставщиков New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated | |||
SPN01N60C3T Infineon | 29 ₽ | ||
SPN01N60C3-VB | 142 ₽ | ||
SPN01N60C3 Infineon | по запросу | ||
SPN01N60C3_05 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223
Краткое содержание документа:
SPN01N60C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
2 1
VPS05163
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 300 мА
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 6 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 300 мА
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A