Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SPN01N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Infineon SPN01N60C3

Наименование модели: SPN01N60C3

15 предложений от 12 поставщиков
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
AiPCBA
Весь мир
SPN01N60C3T
Infineon
29 ₽
Триема
Россия
SPN01N60C3-VB
142 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SPN01N60C3
Infineon
по запросу
TradeElectronics
Россия
SPN01N60C3_05
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPN01N60C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
2 1
VPS05163
VDS @ Tjmax RDS(on) ID

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 300 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 6 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 300 мА
  • Тип корпуса: SOT-223
  • Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 650 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet SPN01N60C3 - Infineon MOSFET, N, SOT-223

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка