Datasheet SPP18P06P - Infineon Даташит Полевой транзистор, P, TO-220 — Даташит
Наименование модели: SPP18P06P
Купить SPP18P06P на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 254 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | |||
SPP18P06P (ST-STP12PF06) STMicroelectronics | 12 ₽ | ||
SPP18P06P Infineon | 81 ₽ | ||
SPP18P06P H Infineon | 86 ₽ | ||
SPP18P06P TO220 Infineon | 254 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, P, TO-220
Краткое содержание документа:
SPP18P06P SIPMOS ® Power-Transistor
Features
·
Product Summary Drain source voltage Drain-source on-state resistance Continuous drain current
P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated 175°C operating temperature
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 18.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 130 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -3 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 18.6 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220AB
- Pin Configuration: А
- Pin Format: 1 г, (2+Tab)D, 3 с
- Power Dissipation Pd: 80 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 80 Вт
- Pulse Current Idm: 74.4 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
- Voltage Vds: 60 В
- Voltage Vds Typ: -60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5