Datasheet SPU04N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, I-PAK — Даташит
Наименование модели: SPU04N60C3
![]() 19 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 / N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21 | |||
SPU04N60C3BKMA1 Infineon | от 48 ₽ | ||
SPU04N60C3BKMA1 Infineon | 60 ₽ | ||
SPU04N60C3 Infineon | по запросу | ||
SPU04N60C3BKMA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, I-PAK
Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
G
Tjmax
G
G G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 950 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: I-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 4.5 А
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
- Pulse Current Idm: 13.5 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 650 В
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3.9 В
- Voltage Vgs th Min: 2.1 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE901