Datasheet BSO200N03S - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8 — Даташит

Infineon BSO200N03S

Наименование модели: BSO200N03S

Купить BSO200N03S на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 2 951 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков МОП-транзистор N-CH 30V 7A
Akcel Весь мир	BSO200N03S Infineon	от 25 ₽
Utmel Весь мир	BSO200N03S Infineon	от 25 ₽
ТаймЧипс Россия	BSO200N03SXT Infineon	по запросу
Flash-Turtle Весь мир	BSO200N03 Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSO200N03S
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for notebook DC/DC · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel · Logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · dv /dt rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant
1
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 20 8.8 V m A

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 8.8 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 20 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
Current Id Max: 7 А
On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 27 МОм
Тип корпуса: SOIC
Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
Pulse Current Idm: 32 А
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7-6-10
LICEFA - V11-7
Roth Elektronik - RE932-01