Datasheet BSO094N03S - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8 — Даташит
Наименование модели: BSO094N03S
Купить BSO094N03S на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 239 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков OptiMOS?„?2 Power-Transistor | |||
BSO094N03ST Infineon | 34 ₽ | ||
BSO094N03ST Infineon | 34 ₽ | ||
BSO094N03S | по запросу | ||
IF.BSO094N03S | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8
Краткое содержание документа:
BSO094N03S
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for notebook DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel · Logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Superior thermal resistance · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant
1)
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 9.1 13 V m A
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 13 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 9.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 10 А
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 12.9 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.56 Вт
- Pulse Current Idm: 52 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Panasonic - EYGA121807A
- Roth Elektronik - RE932-01