Datasheet IPB60R250CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Купить IPB60R250CP на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 283 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
AllElco Electronics Весь мир	IPB60R250CP Infineon	36 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPB60R250CP Infineon	97 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPB60R250CP Infineon	112 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IPB60R250CP Infineon	130 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB60R250CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ONxQg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 V
0.250 26 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 12 А
• Тип корпуса: TO-263
• Power Dissipation Pd: 104 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A