Datasheet SPB12N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Купить SPB12N50C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 66 до 151 ₽ 15 предложений от 14 поставщиков MOSFET Transistor, N Channel, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
Lixinc Electronics Весь мир	SPB12N50C3 Infineon	82 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SPB12N50C3ATMA1 Infineon	151 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SPB12N50C3 - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	SPB12N50C3_05 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB12N50C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
-
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
560 0.38 11.6

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 560 В
• On Resistance Rds(on): 380 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 11.6 А
• Тип корпуса: TO-263
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 560 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A