Datasheet SPP04N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, COOLMOS, TO-220 — Даташит
Наименование модели: SPP04N80C3
Купить SPP04N80C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 357 ₽ 25 предложений от 18 поставщиков N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 | |||
SPP04N80C3 (ST-STP8NK80Z) STMicroelectronics | 27 ₽ | ||
SPP04N80C3 Infineon | 55 ₽ | ||
Новинка 10 шт./партия SPA06N80C3 SPP06N80C3 06N80C3 или SPA08N80C3 SPP08N80C3 08N80C3 SPA04N80C3 SPP04N80C3 04N80C3 TO-220F 6A800V MOSFET | 357 ₽ | ||
SPP04N80C3XK | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, COOLMOS, TO-220
Краткое содержание документа:
SPP04N80C3 SPA04N80C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
P-TO220-3-31
1 2 3
VDS RDS(on) ID
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On Resistance Rds(on): 3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Альтернативный тип корпуса: TO-220FP
- Current Id Max: 4 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 75 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 75 Вт
- Pulse Current Idm: 12 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS