Datasheet IPI60R099CPA - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит
Наименование модели: IPI60R099CPA
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | |||
IPI60R099CPA Infineon | 349 ₽ | ||
IPI60R099CPA Infineon | 675 ₽ | ||
IPI60R099CPA Infineon | по запросу | ||
IPI60R099CPA Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-262
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 31 А
- On Resistance Rds(on): 99 МОм
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-262
- Тип корпуса: TO-262
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A