Источники питания Keen Side

Datasheet IPI60R099CPA - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-262 — Даташит

Infineon IPI60R099CPA

Наименование модели: IPI60R099CPA

8 предложений от 8 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN
ChipWorker
Весь мир
IPI60R099CPA
Infineon
349 ₽
ЧипСити
Россия
IPI60R099CPA
Infineon
675 ₽
IPI60R099CPA
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
IPI60R099CPA
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-262

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 31 А
  • On Resistance Rds(on): 99 МОм
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-262
  • Тип корпуса: TO-262
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet IPI60R099CPA - Infineon MOSFET, N, TO-262

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка