Datasheet IPB50R140CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Infineon IPB50R140CP

Наименование модели: IPB50R140CP

Купить IPB50R140CP на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 715 ₽ 14 предложений от 10 поставщиков транз: N-MOSFET 500V 18A
Стандарт СИЗ Россия	IPB50R140CP (ST-STB21NM50N) STMicroelectronics	53 ₽
ЗУМ-СМД Россия	IPB50R140CP Infineon	63 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IPB50R140CP - Infineon Technologies Infineon	по запросу
МосЧип Россия	IPB50R140CP Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB50R140CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure of merit RON x Qg · Ultra low gate charge · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Quailfied according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max Q g,typ 550 0.140 48 V nC
PG-TO263

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 23 А
Drain Source Voltage Vds: 550 В
On Resistance Rds(on): 140 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-263
Current Id Max: 23 А
Тип корпуса: TO-263
Power Dissipation Pd: 192 Вт
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 550 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Panasonic - EYGA091203SM
Panasonic - EYGA121807A