Datasheet SPB16N50C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-263 — Даташит

Купить SPB16N50C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 293 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков МОП-транзистор COOL MOS N-CH 650V 20.7A
ChipWorker Весь мир	SPB16N50C3ATMA1 Infineon	24 ₽	Купить
727GS Весь мир	SPB16N50C3ATMA1 Rochester Electronics	97 ₽	Купить
Maybo Весь мир	SPB16N50C3ATMA1 Infineon	293 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	SPB16N50C3 MOS Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPB16N50C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · Ultra low effective capacitances · Improved transconductance
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
560 0.28 16
PG-TO263

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 560 В
• On Resistance Rds(on): 280 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Current Id Max: 16 А
• Тип корпуса: TO-263
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 560 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A