Datasheet SPN02N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: SPN02N60C3
![]() 12 предложений от 11 поставщиков , Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4Pin(3+Tab) SOT-223 | |||
SPN02N60C3 Infineon | 18 ₽ | ||
SPN02N60C3-VB | 142 ₽ | ||
SPN02N60C3E6433 Infineon | по запросу | ||
SPN02N60C3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223
Краткое содержание документа:
SPN02N60C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Ultra low effective capacitances · Extreme dv /dt rated
Product Summary V DS @ T j,max R DS(on),max ID 650 2.5 0.4 V A
SOT223
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 400 мА
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 2.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Current Id Max: 400 мА
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A