Datasheet BSO104N03S - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8 — Даташит

Купить BSO104N03S на РадиоЛоцман.Цены — от 46 до 142 ₽ 16 предложений от 12 поставщиков МОП-транзистор OptiMOS2 PWR-Trnstr N-CH 13A 13.6mOhms
LifeElectronics Россия	IF.BSO104N03S	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	BSO104N03S Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	BSO104N03S Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BSO104N03S Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSO104N03S
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for notebook DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel · Logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Superior thermal resistance · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant
1)
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 9.7 13 V m A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 13 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 9.7 МОм
• Корпус транзистора: SOIC
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 13.6 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Pulse Current Idm: 52 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE932-01