Datasheet BSO104N03S - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8 — Даташит

Infineon BSO104N03S

Наименование модели: BSO104N03S

Купить BSO104N03S на РадиоЛоцман.Цены — от 262 до 267 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков МОП-транзистор OptiMOS2 PWR-Trnstr N-CH 13A 13.6mOhms
Akcel Весь мир	BSO104N03S Infineon	от 262 ₽
Utmel Весь мир	BSO104N03S Infineon	от 267 ₽
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BSO104N03S Infineon	по запросу
ЭлектроПласт Россия	BSO104N03S_08 Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSO104N03S
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for notebook DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel · Logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Superior thermal resistance · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant
1)
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 9.7 13 V m A

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 13 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 9.7 МОм
Корпус транзистора: SOIC
On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 13.6 МОм
Тип корпуса: SOIC
Pulse Current Idm: 52 А
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
Тип транзистора: Enhancement
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7-6-10
LICEFA - V11-7
Roth Elektronik - RE932-01