Datasheet BSP75N - Infineon Даташит Полевой транзистор, SMART переключатель SOT-223 — Даташит
Наименование модели: BSP75N
 Купить BSP75N на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 233 ₽55 предложений от 24 поставщиков ИС переключателя электропитания - распределение электропитания Smart Low Side 1 Ch 60 V 1.8 W | |||
| BSP75N Infineon | 30 ₽ | ||
| BSP75N Infineon | 46 ₽ | ||
| BSP75N Infineon | от 48 ₽ | ||
| BSP75N, Транзистор, HITFET, N-канал 60В 700мА 500мОм [SOT-223] Fairchild | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, SMART переключатель SOT-223
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Smart Lowside Power Switch
HITFETв BSP 75N
Data Sheet V1.0 Features · · · · · · · Logic Level Input Input protection (ESD) Thermal shutdown with auto restart Overload protection Short circuit protection Overvoltage protection Current limitation
Application · All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching applications · µC compatible power switch for 12 V and 24 V DC applications and for 42 Volt Powernet · Replaces electromechanical relays and discrete circuits General Description N channel vertical power FET in Smart Power Technology.
Fully protected by embedded protection functions. Type HITFETв BSP 75N Ordering Code Q67060-S7215 Package P-SOT223-4
Product Summary Parameter Continuous drain source voltage On-state resistance Current limitation Nominal load current Clamping energy Symbol Value 60 550 1 0.7 550 Unit V m A A mJ
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 700 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 500 МОм
- Корпус транзистора: SOT-223
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 550mJ
- Ток минимальный: 1 А
- ESD HBM: 1 кВ
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901
