Datasheet IRF1310NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, 42 А, D2-PAK — Даташит

Купить IRF1310NSPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 244 ₽ 16 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 42А; 3,8Вт; D2PAK
ИМЭК Россия и страны ТС	IRF1310NSPBF MOSFET N-CH 100V 42A International Rectifier	57 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF1310NSPBF Infineon	214 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IRF1310NSPBF International Rectifier	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF1310NSPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, 42 А, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 91514B
IRF1310NS/L
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Advanced Process Technology Surface Mount (IRF1310NS) Low-profile through-hole (IRF1310NL) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 42 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 36 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
• Current Id Max: 42 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.95°C/W
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• Power Dissipation on 1 Sq.

  PCB: 3.8 Вт

• Pulse Current Idm: 140 А
• SMD Marking: IRF1310NS
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 100 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5