Datasheet IRF1310NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, 42 А, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRF1310NSPBF
Купить IRF1310NSPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 91 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков транзисторы полевые импортные | |||
| IRF1310NSPBF,Nкан 100В 42А D2Pak Infineon | 30 ₽ | ||
| IRF1310NSPBF-INF Infineon | 41 ₽ | ||
| IRF1310NSPBF MOSFET N-CH 100V 42A | 59 ₽ | ||
| IRF1310NSPBF International Rectifier | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, 42 А, D2-PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 91514B
IRF1310NS/L
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Advanced Process Technology Surface Mount (IRF1310NS) Low-profile through-hole (IRF1310NL) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 42 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 36 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
- Current Id Max: 42 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.95°C/W
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 160 Вт
- Power Dissipation on 1 Sq.
PCB: 3.8 Вт
- Pulse Current Idm: 140 А
- SMD Marking: IRF1310NS
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 100 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
