Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF520NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, 9.5 А, D2-PAK — Даташит

International Rectifier IRF520NSPBF

Наименование модели: IRF520NSPBF

10 предложений от 9 поставщиков
Advamced {rpcess Technology Surface Mount | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
T-electron
Россия и страны СНГ
IRF520NSPBF
Infineon
48 ₽
ЧипСити
Россия
IRF520NSPBF
International Rectifier
105 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRF520NSPBF
International Rectifier
128 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRF520NSPBF
по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, 9.5 А, D2-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -91340A
IRF520NS/L
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Advanced Process Technology Surface Mount (IRF520NS) Low-profile through-hole (IRF520NL) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 200 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 91mJ
  • Capacitance Ciss Typ: 330 пФ
  • Current Iar: 5.7 А
  • Current Id Max: 9.7 А
  • Current Idss Max: 25 мкА
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 15.49 мм
  • Внешняя длина / высота: 4.69 мм
  • Внешняя ширина: 10.16 мм
  • Fall Time tf: 23 нс
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 175°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 3.1°C/W
  • N-channel Gate Charge: 25nC
  • Количество транзисторов: 1
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 200 МОм
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Power Dissipation Pd: 48 Вт
  • Power Dissipation on 1 Sq.

    PCB: 3.8 Вт

  • Pulse Current Idm: 38 А
  • Repetitive Avalanche Energy Max: 4.8mJ
  • Reverse Recovery Time trr Typ: 99 нс

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IRF520NSPBF - International Rectifier MOSFET, N, 100 V, 9.5 A, D2-PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка