Datasheet IRF520NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, 9.5 А, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRF520NSPBF
![]() 10 предложений от 9 поставщиков Advamced {rpcess Technology Surface Mount | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | |||
IRF520NSPBF Infineon | 48 ₽ | ||
IRF520NSPBF International Rectifier | 105 ₽ | ||
IRF520NSPBF International Rectifier | 128 ₽ | ||
IRF520NSPBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, 9.5 А, D2-PAK
Краткое содержание документа:
PD -91340A
IRF520NS/L
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Advanced Process Technology Surface Mount (IRF520NS) Low-profile through-hole (IRF520NL) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 200 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 91mJ
- Capacitance Ciss Typ: 330 пФ
- Current Iar: 5.7 А
- Current Id Max: 9.7 А
- Current Idss Max: 25 мкА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 15.49 мм
- Внешняя длина / высота: 4.69 мм
- Внешняя ширина: 10.16 мм
- Fall Time tf: 23 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 175°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 3.1°C/W
- N-channel Gate Charge: 25nC
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 200 МОм
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 48 Вт
- Power Dissipation on 1 Sq.
PCB: 3.8 Вт
- Pulse Current Idm: 38 А
- Repetitive Avalanche Energy Max: 4.8mJ
- Reverse Recovery Time trr Typ: 99 нс
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5