Datasheet IRF5210PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, -100 В, -40 А, TO-220 — Даташит

Купить IRF5210PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.18 до 7 600 ₽ 40 предложений от 20 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: PМаксимальное напряжение сток-исток, В: -100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -40Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 60Заряд затвора,...
ЗУМ-СМД Россия	IRF5210PBF Infineon	8.18 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRF5210PBF International Rectifier	33 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	IRF5210PBF INFIN TO-220AB Infineon	от 104 ₽	Купить
Элитан Россия	IRF5210PBF TT Electronics	7 600 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, -100 В, -40 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 91434A
IRF5210
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching P-Channel Fully Avalanche Rated

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 60 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -4 В
• Корпус транзистора: TO-220AB
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -40 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.75°C/W
• Расстояние между выводами: 2.54 мм
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-220AB
• Pin Configuration: А
• Pin Format: 1 г
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Pulse Current Idm: 140 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: -4 В
• Voltage Vds: 100 В
• Voltage Vds Typ: -100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5