Datasheet IRF630NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, 9.5 А, D2-PAK — Даташит

Купить IRF630NSPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 740 ₽ 25 предложений от 18 поставщиков MOSFET, N, 200V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds...
ЧипСити Россия	IRF630NSPBF International Rectifier	49 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF630NSPBF International Rectifier	51 ₽	Купить
ЭИК Россия	IRF630NSPBF International Rectifier	от 188 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	IRF630NSPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, 9.5 А, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94005B
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements Description
l l Fifth Generation HEXFET ® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 300 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 94mJ
• Capacitance Ciss Typ: 575 пФ
• Current Iar: 9.3 А
• Current Id Max: 9.3 А
• Current Idss Max: 25 мкА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 15.49 мм
• Внешняя длина / высота: 4.69 мм
• Внешняя ширина: 10.16 мм
• Fall Time tf: 15 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.83°C/W
• N-channel Gate Charge: 35nC
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 300 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 82 Вт
• Power Dissipation on 1 Sq. PCB: 3.8 Вт
• Pulse Current Idm: 37 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 8.2mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 117 нс

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5