Datasheet IRF6611TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX — Даташит

International Rectifier IRF6611TR1

Наименование модели: IRF6611TR1

Купить IRF6611TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 159 до 3 564 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
ЧипСити Россия	IRF6611TR1PBF Infineon	159 ₽
ChipWorker Весь мир	IRF6611TR1PBF Infineon	170 ₽
AiPCBA Весь мир	IRF6611TR1PBF Infineon	170 ₽
Akcel Весь мир	IRF6611TR1 Infineon	от 874 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96978E
IRF6611
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (<0.7 mm) 30V max ±20V max 2.0m@ 10V 2.6m@ 4.5V Dual Sided Cooling Compatible Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching above 1MHz 37nC 12nC 3.3nC 16nC 23nC 1.7V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for SyncFET Socket of Sync.

Buck Converter Low Conduction Losses Compatible with Existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 32 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 2 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 2.25 В
Корпус транзистора: MX
Количество выводов: 5
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Capacitance Ciss Typ: 4860 пФ
Current Id Max: 22 А
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -40°C
Тип корпуса: MX
Power Dissipation Pd: 3.9 Вт
Pulse Current Idm: 220 А
Reverse Recovery Time trr Typ: 24 нс
SMD Marking: 6611
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.25 В
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7