Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IRF6613TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 40 В, MT — Даташит

International Rectifier IRF6613TR1PBF

Наименование модели: IRF6613TR1PBF

13 предложений от 10 поставщиков
Транзистор N-канальный 40V 150A 89W 0,0034R MT
Akcel
Весь мир
IRF6613TR1PBF
Infineon
от 46 ₽
IRF6613TR1PBF, Nкан 40В 23А DirectFET MT
International Rectifier
64 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRF6613TR1PBF
по запросу
Acme Chip
Весь мир
IRF6613TR1PBF
International Rectifier
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 40 В, MT

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 23 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 3.4 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.35 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
  • Корпус транзистора: DirectFET
  • Количество выводов: 5
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Семейство: 6613
  • Current Id Max: 18 А
  • Тип корпуса: MT
  • Pulse Current Idm: 180 А
  • SMD Marking: 2.8
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds: 40 В
  • Voltage Vds Typ: 40 В
  • Voltage Vgs Max: 2.25 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.25 В
  • Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRF6613TR1PBF - International Rectifier MOSFET, N, DIRECTFET, 40 V, MT

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России