Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IRF6614TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 40 В, ST — Даташит

International Rectifier IRF6614TR1PBF

Наименование модели: IRF6614TR1PBF

15 предложений от 9 поставщиков
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12.7A 7Pin Direct-FET ST T/R
AiPCBA
Весь мир
IRF6614TR1PBF
Infineon
174 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRF6614TR1PBF
Infineon
176 ₽
Akcel
Весь мир
IRF6614TR1PBF
Infineon
от 507 ₽
Utmel
Весь мир
IRF6614TR1PBF
Infineon
от 515 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 40 В, ST

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 5.9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.1 мВт
  • Корпус транзистора: ST
  • Количество выводов: 5
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Семейство: 6614
  • Current Id Max: 10.1 А
  • Тип корпуса: ST
  • Pulse Current Idm: 102 А
  • SMD Marking: 2.1
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds: 40 В
  • Voltage Vds Typ: 40 В
  • Voltage Vgs Max: 1.8 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.25 В
  • Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRF6614TR1PBF - International Rectifier MOSFET, N, DIRECTFET, 40 V, ST

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России