Datasheet IRF6616TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX — Даташит

Купить IRF6616TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 108 до 942 ₽ 23 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 19А; 89Вт; DirectFET
ЧипСити Россия	IRF6616TR1PBF Infineon	108 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6616TR1PBF Infineon	114 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF6616TR1PBF International Rectifier	от 942 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IRF6616TR1 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96999B
IRF6616
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l
RoHS compliant containing no lead or bormide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 19 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 4.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MX
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 3765 пФ
• Current Id Max: 19 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 150 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 15 нс
• SMD Marking: 6616
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds: 40 В
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть