Datasheet IRF6616TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX — Даташит
Наименование модели: IRF6616TR1
Купить IRF6616TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 126 до 268 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET | |||
IRF6616TR1PBF Infineon | 126 ₽ | ||
IRF6616TR1PBF Infineon | 134 ₽ | ||
IRF6616TR1 | по запросу | ||
IRF6616TR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX
Краткое содержание документа:
PD - 96999B
IRF6616
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l
RoHS compliant containing no lead or bormide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 19 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 4.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MX
- Количество выводов: 7
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 3765 пФ
- Current Id Max: 19 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Тип корпуса: MX
- Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
- Pulse Current Idm: 150 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 15 нс
- SMD Marking: 6616
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Voltage Vds: 40 В
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть