Datasheet IRF6641TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ — Даташит
Наименование модели: IRF6641TR1PBF
Купить IRF6641TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 45 до 628 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 7Pin Direct-FET MZ T/R | |||
IRF6641TR1PBF, Nкан 200В 26А DirectFET MZ International Rectifier | 45 ₽ | ||
IRF6641TR1PBF Infineon | от 58 ₽ | ||
IRF6641TR1PBF | по запросу | ||
IRF6641TR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 59.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
- Корпус транзистора: DirectFET
- Количество выводов: 5
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 46mJ
- Семейство: 6641
- Cont Current Id @ 70В°C: 3.7 А
- Current Id Max: 3.7 А
- Fall Time tf: 65 нс
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Тип корпуса: MZ
- Pulse Current Idm: 37 А
- Rise Time: 11 нс
- Storage Temperature Max: 150°C
- Storage Temperature Min: -40°C
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 200 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть