HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IRF6641TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ — Даташит

International Rectifier IRF6641TR1PBF

Наименование модели: IRF6641TR1PBF

16 предложений от 10 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 7Pin Direct-FET MZ T/R
IRF6641TR1PBF, Nкан 200В 26А DirectFET MZ
International Rectifier
45 ₽
Akcel
Весь мир
IRF6641TR1PBF
Infineon
от 58 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRF6641TR1PBF
по запросу
Acme Chip
Весь мир
IRF6641TR1PBF
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 59.9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
  • Корпус транзистора: DirectFET
  • Количество выводов: 5
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 46mJ
  • Семейство: 6641
  • Cont Current Id @ 70В°C: 3.7 А
  • Current Id Max: 3.7 А
  • Fall Time tf: 65 нс
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -40°C
  • Тип корпуса: MZ
  • Pulse Current Idm: 37 А
  • Rise Time: 11 нс
  • Storage Temperature Max: 150°C
  • Storage Temperature Min: -40°C
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds: 200 В
  • Voltage Vds Typ: 200 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IRF6641TR1PBF - International Rectifier MOSFET, N, DIRECTFET, MZ

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России