Datasheet IRF6643TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97112A
IRF6643TRPbF
DirectFET Power MOSFET
Typical values (unless otherwise specified)
RoHS Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Application Specific MOSFETs l Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectification l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On Resistance Rds(on): 34.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: DirectFET MZ
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 50mJ
• Семейство: 6643
• Cont Current Id @ 70В°C: 5 А
• Current Id Max: 6.2 А
• Fall Time tf: 4.4 нс
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MZ
• Power Dissipation Pd: 2.8 мВт
• Pulse Current Idm: 76 А
• Rise Time: 5 нс
• Storage Temperature Max: 150°C
• Storage Temperature Min: -40°C
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 150 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A