Datasheet IRF6643TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET — Даташит
Наименование модели: IRF6643TR1PBF
 Купить IRF6643TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 139 до 2 022 ₽24 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 6,2А; 89Вт; DirectFET | |||
| IRF6643TR1PBF International Rectifier | от 656 ₽ | ||
| IRF6643TR1PBF Infineon | по запросу | ||
| IRF6643TR1PBF Infineon | по запросу | ||
| IRF6643TR1PBF Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 97112A
IRF6643TRPbF
DirectFET Power MOSFET
Typical values (unless otherwise specified)
RoHS Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Application Specific MOSFETs l Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectification l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 34.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: DirectFET MZ
- Количество выводов: 7
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 50mJ
- Семейство: 6643
- Cont Current Id @ 70В°C: 5 А
- Current Id Max: 6.2 А
- Fall Time tf: 4.4 нс
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Тип корпуса: MZ
- Power Dissipation Pd: 2.8 мВт
- Pulse Current Idm: 76 А
- Rise Time: 5 нс
- Storage Temperature Max: 150°C
- Storage Temperature Min: -40°C
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 150 В
- Voltage Vds Typ: 150 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
