Datasheet IRF6646TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN — Даташит

Купить IRF6646TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 86 до 274 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков N-Channel 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFETTMMN
Akcel Весь мир	IRF6646TR1PBF Infineon	от 86 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6646TR1PBF Infineon	167 ₽	Купить
Контест Россия	IRF6646TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Flash-Turtle Весь мир	IRF6646TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96995E
IRF6646
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHS compliant containing no lead or bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 7.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: DirectFET MN
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 2060 пФ
• Current Id Max: 12 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MN
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 96 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 36 нс
• SMD Marking: 6646
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.9 В
• Voltage Vds: 80 В
• Voltage Vds Typ: 80 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть