Datasheet IRF6668TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ — Даташит

International Rectifier IRF6668TR1PBF

Наименование модели: IRF6668TR1PBF

Купить IRF6668TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 225 до 3 978 ₽ 13 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7Pin Direct-FET MZ T/R
AiPCBA Весь мир	IRF6668TR1PBF International Rectifier	225 ₽
ЧипСити Россия	IRF6668TR1PBF International Rectifier	230 ₽
Akcel Весь мир	IRF6668TR1PBF Infineon	от 582 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IRF6668TR1PBF,Nкан 80В 55А DirectFET MZ International Rectifier	3 978 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97232A
IRF6668PbF IRF6668TRPbF
l l l l l l l l l l
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
DirectFET Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 55 А
Drain Source Voltage Vds: 80 В
On Resistance Rds(on): 15 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 4 В
Количество выводов: 5
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Avalanche Single Pulse Energy Eas: 24mJ
Семейство: 6668
Cont Current Id @ 70В°C: 44 А
Current Id Max: 44 А
Fall Time tf: 23 нс
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -40°C
Тип корпуса: MZ
Power Dissipation Pd: 2.8 мВт
Pulse Current Idm: 170 А
Rise Time: 13 нс
Storage Temperature Max: 150°C
Storage Temperature Min: -40°C
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
Voltage Vds: 80 В
Voltage Vds Typ: 80 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть