Datasheet IRF6717MTR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор N CH, 25 В 38 А SMD — Даташит

International Rectifier IRF6717MTR1PBF

Наименование модели: IRF6717MTR1PBF

Купить IRF6717MTR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 284 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Akcel Весь мир	IRF6717MTR1PBF Infineon	от 65 ₽
Utmel Весь мир	IRF6717MTR1PBF Infineon	от 66 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IRF6717MTR1PBF Infineon	140 ₽
Контест Россия	IRF6717MTR1PBF International Rectifier	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор N CH, 25 В 38 А SMD

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97345A
IRF6717MPbF IRF6717MTRPbF
l RoHs Compliant and Halgen Free l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Ultra Low Package Inductance l Optimized for High Frequency Switching l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Optimized for Sync.

FET socket of Sync. Buck Converter l Low Conduction and Switching Losses l Compatible with existing Surface Mount Techniques l100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)
DirectFET Power MOSFET RDS(on) Qgs2

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 38 А
Drain Source Voltage Vds: 25 В
On Resistance Rds(on): 1.25 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
Рассеиваемая мощность: 96 Вт
Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
Корпус транзистора: MX
Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Current Id Max: 220 А
Тип корпуса: MX
Pulse Current Idm: 38 А
Способ монтажа: SMD
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 25 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть