Datasheet IRF6718L2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 25 В, 61 А, DIRECTFET L2 — Даташит

Купить IRF6718L2TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 184 до 470 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Trans MOSFET N-CH 25V 61A 13Pin Direct-FET L6 T/R
AiPCBA Весь мир	IRF6718L2TR1PBF International Rectifier	194 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRF6718L2TR1PBF Infineon	470 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6718L2TR1PBF	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6718L2TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 25 В, 61 А, DIRECTFET L2

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97395D
IRF6718L2TRPbF IRF6718L2TR1PbF
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide l Dual Sided Cooling Compatible l Ultra Low Package Inductance l Very Low R DS(ON) for Reduced Conduction Losses l Optimized for Active O-Ring / Efuse Applications l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
Typical values (unless otherwise specified)

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 61 А
• Current Id Max: 61 А
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 500µ Ом
• Pulse Current Idm: 490 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 1.9 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В
• Корпус транзистора: DirectFET
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 4.3 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип корпуса: L6
• Тип транзистора: Power MOSFET
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)