Datasheet IRF6722STR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET ST — Даташит
Наименование модели: IRF6722STR1PBF
Купить IRF6722STR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 2 572 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 13A 7Pin Direct-FET ST T/R | |||
IRF6722STR1PBF, Nкан 30В 13А DirectFET ST International Rectifier | 31 ₽ | ||
IRF6722STR1PBF MOSFET N-CH 30V 13A | 63 ₽ | ||
IRF6722STR1PBF International Rectifier | 138 ₽ | ||
IRF6722STR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET ST
Краткое содержание документа:
PD - 96137
IRF6722SPbF IRF6722STRPbF
l l l l l l l l l l
RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for CPU Core DC-DC Converters Optimized for Control FET application Low Conduction and Switching Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques 100% Rg tested
Typical values (unless otherwise specified)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 13 А
- Current Id Max: 13 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 4.7 МОм
- Pulse Current Idm: 110 А
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1.4 В
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- Корпус транзистора: ST
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 2.2 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип корпуса: ST
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)