Datasheet IRF7379PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7379PBF
Купить IRF7379PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 1 481 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8Pin SOIC | |||
IRF7379PBF Infineon | от 12 ₽ | ||
IRF7379PBF Infineon | от 13 ₽ | ||
IRF7379TRPBF IRF7379PBF SP001571968 IRF Infineon | 35 ₽ | ||
IRF7379PBF International Rectifier | 46 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 95300
IRF7379PbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Complimentary Half Bridge Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 90 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 5.8 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Format: 1 S1
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm N Channel 2: 46 А
- Pulse Current Idm P Channel: 34 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: IRF7379PBF
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01