Datasheet IRF7473.PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

International Rectifier IRF7473.PBF

Наименование модели: IRF7473.PBF

Купить IRF7473.PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 233 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков HEXFET Power MOSFET \| MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
Стандарт СИЗ Россия	IRF7473PBF	по запросу
Augswan Весь мир	IRF7473PBF Infineon	по запросу
ТаймЧипс Россия	IRF7473PBF International Rectifier	по запросу
727GS Весь мир	IRF7473PBF Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 94037B
IRF7473
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Telecom and Data-Com 24 and 48V input DC-DC converters l Motor Control l Uninterrutible Power Supply Benefits l Ultra Low On-Resistance l High Speed Switching l Low Gate Drive Current Due to Improved Gate Charge Characteristic l Improved Avalanche Ruggedness and Dynamic dv/dt l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical SMPS Topologies l Full and Half Bridge 48V input Circuit l Forward 24V input Circuit Absolute Maximum Ratings
Parameter

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 6.9 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 26 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Current Id Max: 6.9 А
Внешняя длина / высота: 1.75 мм
Внешняя ширина: 4.05 мм
Тип корпуса: SOIC
Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
Pulse Current Idm: 55 А
Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
SMD Marking: F7473
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
Voltage Vds Typ: 100 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Dow Corning - 2265931
Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
Fischer Elektronik - WLK 5
Roth Elektronik - RE932-01