Datasheet IRF7476PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 12 В, SO-8 — Даташит

Купить IRF7476PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 101 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков N-канальный полевой транзистор (Pb-Free Vds=12V, Id=15A@Vgs=4,5V, P=2.5W, -55 to +150C), Pb-free.
ЧипСити Россия	IRF7476PBF Infineon	101 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	IRF7476PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Контест Россия	IRF7476PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7476PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 12 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94311
IRF7476
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Frequency 3.3V and 5V input Pointof-Load Synchronous Buck Converters for Netcom and Computing Applications.

l Power Management for Netcom, Computing and Portable Applications. Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
VDSS

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 15 А
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On Resistance Rds(on): 8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 1.9 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Cont Current Id @ 25В°C: 15 А
• Cont Current Id @ 70В°C: 12
• Current Id Max: 15 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 120 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Voltage Vds: 12 В
• Voltage Vds Typ: 12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Rth: 50

RoHS: есть