Datasheet IRF7601PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, MICRO-8 — Даташит

Купить IRF7601PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 86 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7601PBF	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF7601PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IRF7601PBF Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7601PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 9.1261D
IRF7601
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 35 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 650 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 69nC
• Current Id Max: 5.7 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.03 мм
• Внешняя длина / высота: 1.11 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gfs Min: 6.1A/V
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Расстояние между выводами: 0.65 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 35 МОм
• Тип корпуса: Micro8
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 30 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Reverse Recovery Time trr Typ: 51 нс
• Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
• SMD Marking: 7601
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Voltage Vds: 20 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE903