Datasheet IRF7601PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, MICRO-8 — Даташит

International Rectifier IRF7601PBF

Наименование модели: IRF7601PBF

Купить IRF7601PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 98 ₽ 19 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,7А; 1,8Вт; Micro8
AiPCBA Весь мир	IRF7601PBF International Rectifier	14 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	IRF7601PBF Infineon	18 ₽
ЭИК Россия	IRF7601PBF International Rectifier	от 83 ₽
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF7601PBF International Rectifier	по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 9.1261D
IRF7601
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 5.7 А
Drain Source Voltage Vds: 20 В
On Resistance Rds(on): 35 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
Voltage Vgs Max: 12 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: MicroSOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Capacitance Ciss Typ: 650 пФ
Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 69nC
Current Id Max: 5.7 А
Current Temperature: 25°C
External Depth: 5.03 мм
Внешняя длина / высота: 1.11 мм
Внешняя ширина: 3.05 мм
Full Power Rating Temperature: 25°C
Gfs Min: 6.1A/V
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -55°C
Расстояние между выводами: 0.65 мм
Количество транзисторов: 1
On State Resistance Max: 35 МОм
Тип корпуса: Micro8
Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
Pulse Current Idm: 30 А
Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
Reverse Recovery Time trr Typ: 51 нс
Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
SMD Marking: 7601
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
Voltage Vds: 20 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7-6-10
LICEFA - V11-7
Roth Elektronik - RE903