Datasheet IRF7604PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, MICRO-8 — Даташит

Купить IRF7604PBF на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков Труба MOS, SOIC P-CH 20V 3.6A
ChipWorker Весь мир	IRF7604PBF Infineon	9 330 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF7604PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF7604PBF Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IRF7604PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 9.1263E
IRF7604
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel Fast Switching

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 90 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 590 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 38nC
• Current Id Max: -3.6 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.03 мм
• Внешняя длина / высота: 1.11 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gfs Min: 2.6A/V
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Расстояние между выводами: 0.65 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 90 МОм
• Тип корпуса: Micro8
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 19 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Reverse Recovery Time trr Typ: 41 нс
• Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
• SMD Marking: 7604
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -4.5 В
• Voltage Vds Typ: -20 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE903