Datasheet IRF7663PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, MICRO-8 — Даташит

Купить IRF7663PBF на РадиоЛоцман.Цены Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.020ohm)
Компонентс Ру Россия	IRF7663PBF Infineon	от 589 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	IRF7663PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-91866B
IRF7663
HEXFET® Power MOSFET
q q q q q q
Trench Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 20 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 115mJ
• Capacitance Ciss Typ: 2520 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 50nC
• Current Id Max: -8.2 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.03 мм
• Внешняя длина / высота: 1.11 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gfs Min: 14.5A/V
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Расстояние между выводами: 0.65 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 20 МОм
• Тип корпуса: Micro8
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 66 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 70 нс
• Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
• SMD Marking: 7663
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.2 В
• Voltage Vds: 20 В

RoHS: есть