Datasheet IRF7805QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7805QPBF
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin SOIC | |||
IRF7805QPBF International Rectifier | 90 ₽ | ||
IRF7805QPBF International Rectifier | 168 ₽ | ||
IRF7805QPBF_08 | по запросу | ||
IRF7805QPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N SO-8
Краткое содержание документа:
PD 96114
IRF7805QPbF
l l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance N Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel 150°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Lead-Free SO-8
S S S G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 13 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 11 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 22nC
- Current Id Max: 13 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 100 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- BONKOTE - BON102
- Electrolube - SMA10SL
- Roth Elektronik - RE932-01