Datasheet IRF7807APBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7807APBF
![]() 14 предложений от 14 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC Tube / MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | |||
IRF7807APBF Infineon | 39 ₽ | ||
IRF7807APBF | по запросу | ||
IRF7807APBF Infineon | по запросу | ||
IRF7807APBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
PD 91747C
IRF7807/IRF7807A
HEXFET® Chip-Set for DC-DC Converters
· · · · N Channel Application Specific MOSFETs Ideal for Mobile DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses
S S S G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 25 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 8.3 А
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 66 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: F7807A
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01