Datasheet IRF7807D1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, FETKY, SO-8 — Даташит

Купить IRF7807D1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 101 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC
ChipWorker Весь мир	IRF7807D1PBF International Rectifier	25 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF7807D1PBF International Rectifier	35 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF7807D1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7807D1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, FETKY, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95208
IRF7807D1PbF
FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE
· Co-Pack N-channel HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode · Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC Converters Up to 5A Output · Low Conduction Losses · Low Switching Losses · Low Vf Schottky Rectifier · Lead-Free Description The FETKYTM family of Co-Pack HEXFET®MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications.

HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining this technology with International Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO8 package is designed for vapor phase, infrared or wave soldering techniques. Absolute Maximum Ratings

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 25 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 66 А
• Current Temperature: 25°C
• Forward Current If(AV): 3.5 А
• Forward Voltage VF Max: 500 мВ
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 66 А
• SMD Marking: 807D1
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.2 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01