Datasheet IRF7807ZPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7807ZPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 1 009 ₽ 15 предложений от 13 поставщиков МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7.2nC
ChipWorker Весь мир	IRF7807ZPBF Infineon	33 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF7807ZPBF Infineon	от 73 ₽	Купить
727GS Весь мир	IRF7807ZPBF Rochester Electronics	от 1 009 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF7807ZPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95211B
IRF7807ZPbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Control FET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Networking and Telecommunication Systems Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for R G l Lead-Free
VDSS 30V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 13.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 11 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 88 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: IRF7807ZPBF
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01