Datasheet IRF7815PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 150 В, 5.1 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: IRF7815PBF
![]() 16 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, SOIC N-CH 150V 5.1A | |||
IRF7815PBF Infineon | 55 ₽ | ||
IRF7815PBF MOSFET N-Ch 150V 5,1A | 63 ₽ | ||
IRF7815PBF Infineon | 81 ₽ | ||
IRF7815PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 150 В, 5.1 А, SO8
Краткое содержание документа:
PD - 96284
IRF7815PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very Low RDS(on) at 10V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.
Gate Rating
RDS(on) max Qg (typ.) 150V 43m @VGS = 10V 25nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 0.034 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA