Datasheet IRF7831PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7831PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 49 до 324 ₽ 25 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,5Вт; SO8
AiPCBA Весь мир	IRF7831PBF Infineon	75 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRF7831PBF Infineon	99 ₽	Купить
Контест Россия	IRF7831PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7831PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95134B
IRF7831PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems.

Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for RG l Lead-Free
VDSS

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 21 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 3.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.35 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 21 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 170 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: IRF7831PBF
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.35 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01