Datasheet IRF7832ZPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96975A
IRF7832Z
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.

Gate Rating l 100% tested for Rg
VDSS

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 21 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 3.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.35 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Cont Current Id @ 25В°C: 21 А
• Cont Current Id @ 70В°C: 17
• Current Id Max: 21 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 160 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.35 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Rth: 50

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE932-01