Datasheet IRF7853PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7853PBF
 Купить IRF7853PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 1 552 ₽24 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14.4 Milliohms; ID 8.3A; SO-8; PD 2.5W; gFS 11S | |||
| IRF7853PBF International Rectifier | от 1 474 ₽ | ||
| IRF7853PBF | по запросу | ||
| IRF7853PBF Infineon | по запросу | ||
| IRF7853PBF Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 97069
IRF7853PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max ID in Universal Input (36-75Vin) Isolated 100V 18m:@VGS = 10V 8.3A DC-DC Converters l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC A Converters A 1 8 D S l Secondary Side Synchronous 2 7 Rectification Switch for 15Vout S D l Suitable for 48V Non-Isolated 3 6 S D Synchronous Buck DC-DC Applications 4 5 G D Benefits l Low Gate to Drain Charge to Reduce SO-8 Top View Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App.
Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Absolute Maximum Ratings
l
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 18 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Cont Current Id @ 25В°C: 8.3 А
- Cont Current Id @ 70В°C: 6.6
- Current Id Max: 8.3 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 66 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.9 В
- Voltage Vds: 100 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Rth: 50
RoHS: есть
