Datasheet IRF7854PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 80 В, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7854PBF
![]() 12 предложений от 12 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 80В 10А 2.5Вт | |||
IRF7854PBF International Rectifier | 62 ₽ | ||
IRF7854PBF Infineon | 351 ₽ | ||
IRF7854PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRF7854PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 80 В, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 97172
IRF7854PbF
Applications l Primary Side Switch in Bridge or twoswitch forward topologies using 48V (±10%) or 36V to 60V ETSI range inputs.
l Secondary Side Synchronous Rectification Switch for 12Vout l Suitable for 48V Non-Isolated Synchronous Buck DC-DC Applications Benefits l Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
HEXFET® Power MOSFET
VDSS
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 13.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Семейство: 7854
- Current Id Max: 10 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 79 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.9 В
- Voltage Vds Typ: 80 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Выходной ток максимальный: 2.5 А
RoHS: есть