Datasheet IRF7855PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, SO-8 — Даташит

Купить IRF7855PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 184 ₽ 23 предложений от 14 поставщиков Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)
Maybo Весь мир	IRF7855PBF Infineon	61 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF7855PBF Infineon	от 139 ₽	Купить
Romstore Россия, Беларусь	IRF7855PBF	от 160 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7855PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97173A
IRF7855PbF
Applications l Primary Side Switch in Bridge Topology in Isolated DC-DC Converters l Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DC Converters l Secondary Side Synchronous Rectification Switch for 15Vout l Suitable for 48V Non-Isolated Synchronous Buck DC-DC Applications Benefits l Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App.

Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
HEXFET® Power MOSFET
VDSS

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 9.4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 7855
• Current Id Max: 12 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 97 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.9 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Выходной ток максимальный: 2.5 А

RoHS: есть