Datasheet IRF7862PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 — Даташит

Купить IRF7862PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 135 ₽ 22 предложений от 16 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEADFREE, SO-8
ЧипСити Россия	IRF7862PBF Infineon	70 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF7862PBF Infineon	от 135 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF7862PBF Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7862PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97275A
IRF7862PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.

Gate Rating l 100% tested for Rg l Lead-Free
VDSS

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 21 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 3.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.35 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 30nC
• Current Id Max: 21 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 170 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.4 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01