Datasheet IRF7910PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7910PBF
![]() 15 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 12V 10A 8Pin SOIC Tube | |||
IRF7910PBF Infineon | от 207 ₽ | ||
IRF7910PBF MOS International Rectifier | по запросу | ||
IRF7910PBF | по запросу | ||
IRF7910PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 95336A
IRF7910PbF
Applications
l
HEXFET® Power MOSFET VDSS
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 12 В
- On Resistance Rds(on): 15 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 10 А
- Fall Time tf: 6.3 нс
- Количество транзисторов: 2
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Configuration: 1S1, 2G1, 3S2, 4G2, (5&6)D2, (8&7)D1
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 79 А
- Rise Time: 22 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Voltage Vds Typ: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01