Datasheet IRF8010LPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, TO-262 — Даташит

Купить IRF8010LPBF на РадиоЛоцман.Цены Труба MOS, TO-262 N-CH 100V 80A
ChipWorker Весь мир	IRF8010LPBF Infineon	134 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRF8010LPBF Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF8010LPBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, TO-262

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94573
SMPS MOSFET
Applications l High frequency DC-DC converters l UPS and Motor Control Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App.

Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l Typical RDS(on) = 12m
l
HEXFET® Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 80 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 15 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Cont Current Id @ 100В°C: 57 А
• Cont Current Id @ 25В°C: 80 А
• Current Id Max: 80 А
• Тип корпуса: TO-262
• Power Dissipation Pd: 260 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 260 Вт
• Pulse Current Idm: 320 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 100 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В
• Rth: 0.57

RoHS: Y-Ex